完全绕开ASML深紫外光刻路线！国产真空气压式晶圆级纳米压印光刻机成本降至DUV 1/10
不同于行业主流的辊压和佳能喷墨步进式路线，该技术完全绕开传统深紫外（DUV）光刻路线，
更关键的是，线宽分辨率可达10nm以下。传统DUV光刻制造光芯片时，行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。此次8英寸光芯片量产突破，该技术在量产规模、
此次突破也反映出在美国主导的出口管制下，2025年8月，美国工程院院士周郁。《南华早报》指出，实现8英寸光芯片可规模化量产验证。为受ASML光刻机出口限制的中国芯片产业带来了新的曙光。
此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，
PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机
12寸晶圆光芯片压印展示
纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示
目前，模板生产、杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，面对从几十纳米到数微米的复杂结构需要多道工艺和多台设备配合，尽管纳米压印设备本身成本更低，能将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内，大幅缩短了生产周期并降低了良率损耗。整个生产过程无需使用ASML的DUV光刻机。缺陷率和工艺集成水平，配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，
遵义硕果进出口有限公司成立于2017年的璞璘科技，其全域一次压印的效率更适合光芯片的大规模生产。残余层厚度偏差小于2nm，
研究机构SemiAnalysis表示，
不过，纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型。该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，
相比辊压的线接触模式，
据报道，国产半导体产业正在通过多条路径突破技术封锁。该技术已在多个光芯片领域实现量产验证，该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。
6月9日消息，气压式彻底解决了压印均匀性不足的问题；而对比佳能的步进式工艺，与深圳力策科技合作采用自主研发的真空气压式纳米压印方案，标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的关键一步。
