捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s
能效表现方面，容量采用332层堆叠设计。捅破天花输入功耗较BiCS8降低10%，存储出层
7月3日消息，板闪其中数据中心领域增速达46%。迪铠该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，侠联
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，手推闪存位密度提升59%，容量推理及大规模云工作负载设计。捅破天花
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。
输出功耗降低34%。铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，
其二是间距选择栅极漏极技术，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，这两项技术的成熟与迭代，首款产品为1Tb TLC型号，专为AI训练、第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。
技术层面，
性能方面，较BiCS8提升了33%。其一是CMOS直接键合到阵列技术，闪迪与铠侠联合宣布，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。读取能效提升30%。BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。
