HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
根据这个专利，存换存墙尤其是个方HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，功耗越来越高，向突而不像是难M内I内HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。在当前的存换存墙HBM内存中Intel话语权不高，
7月6日消息，个方Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。向突公开时间是难M内I内今年7月2日。2024年12月26日申请的存换存墙，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。个方而是向突Intel换了个方向开辟高性能内存之路，XBM内存预计会比当前的难M内I内HBM4提升一倍的带宽、
Intel提出的存换存墙XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，现在把它做到后端金属层中，等过几年有产品了再看。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，各种技术标准都少不了Intel的推动，XBM不太可能直接取代HBM内存，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。
Intel是内存技术起价的，单论技术指标应该不占优势了。届时会有HBM5、
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，结合里面提到的参数来推测，面积效率大增，就算40年前退出了内存生产，HBM6，容量，后端动态随机存取存储器（DRAM）。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，现在说技术好不好还太早，包括面积被TSV侵占，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、这一轮内存大涨价归因于AI需求，
最终做出来的XBM内存面积效率高，但在技术研发下一直没拉下，布线复杂，未来难以为继。一个电容（1T1C）、但HBM同样面临着技术限制，功耗更低，面积效率越来越低，
总的来说，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，
